jueves, 3 de diciembre de 2009

CARACTERISTICAS DE MEMORIA

La memoria es de acceso aleatorio cuando el tiempote acceso a cualquier posición de memoria siempre es el mismo.

Las características importantes de las memorias son tiempo de escritura, tiempo de lectura, tiempo de acceso, tiempo de ciclo, capacidad, densidad de información, volatilidad, cadencia de transferencia.

El tiempo de escritura es el tiempo que transcurre entre la aplicación de la orden de lectura y el movimiento en que la información queda realmente registrada.



El tiempo de lectura es el que trascurre entre la aplicación de la orden de lectura y el momento en que la información que esta disponible en la salida.


El tiempo de acceso es a menudo la medida de los dos tiempos de escritura definidos anteriormente. Es la medida del tiempo transcurrido desde que se funda un dato a la unidad de memoria hasta que esta lo entrega.

La cadencia de transferencia es la velocidad a la cual la memoria acepta informaciones de lectura o escritura (bits por segundo).

La capacidad es el numero de palabras o de bits que la memoria puede almacenar se denomina también volumen.

Densidad de información es el número de informaciones por unidad de volumen físico.

Volatilidad es el defecto de una memoria que pierde la información almacenada, si se produce un corte de alimentación.

La clasificación de memorias por el modo de acceso:
  • Acceso aleatorio (RAM), acceso secuencial, asociativo.
  • Por el método de almacenamiento:
  • Volátiles, no volátiles.
  • Por el tipo de soporte:
    Semiconductores, magnéticos, de papel.
    Por su función o jerarquía:
    Tampón o borrador.


Funcionamiento de una memoria RAM.
Situar en los terminales de dirección la combinación adecuada a la célula de memoria a operar.


Hay dos grupos de memoria RAM: las RAM estáticas y la RAM dinámicas.


Las RAM estáticas están basadas en estructuras
bi estables con un tipo de transistor u otro.



La RAM dinámica esta formada por células dinámicas las cuales están basadas en el aprovechamiento de las capacidades estructurales de los transistores MOS.

Dirección es la palabra binaria que define la posición.

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